RJK2076DPA-00#J5A
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分立半导体产品>>晶体管 - FET,MOSFET - 单
描述
MOSFET N-CH 200V 20A WPAK
物料参数
FET类型: | N 通道 |
技术: | MOSFET(金属氧化物) |
漏源电压(Vdss): | 200V |
电流-连续漏极(Id)(25°C时): | 20A(Ta) |
驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn): | 10V |
不同 Id,Vgs时的 RdsOn(最大值): | 85 毫欧 @ 10A,10V |
不同Id时的Vgs(th)(最大值): | - |
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值): | 19nC @ 10V |
Vgs(最大值): | ±30V |
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值): | 1200pF @ 25V |
FET功能: | - |
功率耗散(最大值): | 65W(Tc) |
工作温度: | 150°C(TJ) |
安装类型: | 表面贴装型 |
供应商器件封装: | WPAK(3F)(5x6) |
封装/外壳: | 8-PowerVDFN |