HD2312
品牌
HIGH DIODE
供应商
分类
场效应管(MOSFET)
描述
类型：N沟道 漏源电压(Vdss)：20V 连续漏极电流(Id)：5A 功率(Pd)：350mW 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：18mΩ@4.5V,5A 阈值电压(Vgs(th)@Id)：700mV@250uA 输入电容(Ciss@Vds)：865pF@10V 反向传输电容(Crss@Vds)：55pF@10V 工作温度：+150℃@(Tj)