ME2306D-G
品牌
MATSUKI
供应商
分类
场效应管(MOSFET)
描述
类型：N沟道 漏源电压(Vdss)：30V 连续漏极电流(Id)：5.3A 功率(Pd)：1.39W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：26mΩ@10V,6.7A 阈值电压(Vgs(th)@Id)：1.5V@250uA 栅极电荷(Qg@Vgs)：5.7nC@4.5V 输入电容(Ciss@Vds)：370pF@15V 反向传输电容(Crss@Vds)：21pF@15V 工作温度：-55℃~+150℃@(Tj)