PTA20N60
品牌
PIP
供应商
分类
场效应管(MOSFET)
描述
类型：N沟道 漏源电压(Vdss)：600V 连续漏极电流(Id)：20A 功率(Pd)：60W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：450mΩ@10V,10A 阈值电压(Vgs(th)@Id)：4V@250μA N沟道,600V,0.35?@10V,20A