PTA08N65
品牌
PIP
供应商
分类
场效应管(MOSFET)
描述
类型：N沟道 漏源电压(Vdss)：650V 连续漏极电流(Id)：8A 功率(Pd)：42W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：1.3Ω@10V,4A 阈值电压(Vgs(th)@Id)：4V@250μA N沟道,650V,0.85?@10V,8.0A