FHD4N65D
品牌
FEIHONG
供应商
分类
场效应管(MOSFET)
描述
N沟道 耐压:650V 电流:4A 类型:N沟道 漏源电压(Vdss):650V 连续漏极电流(Id):4A 功率(Pd):49W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):2.8Ω@10V,2A 阈值电压(Vgs(th)@Id):4V@250uA