HD2310
品牌
HIGH DIODE
供应商
分类
场效应管(MOSFET)
描述
类型：N沟道 漏源电压(Vdss)：60V 连续漏极电流(Id)：3A 功率(Pd)：350mW 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：70mΩ@10V,3A 阈值电压(Vgs(th)@Id)：1.2V@250uA 栅极电荷(Qg@Vgs)：7nC@4.5V 输入电容(Ciss@Vds)：250pF@30V 反向传输电容(Crss@Vds)：20pF@30V 工作温度：+150℃@(Tj)