AP3N1R8MT

品牌
APEC
供应商
分类
晶体管 > MOSFETs
描述
N沟道 漏源电压(Vdss):30V 连续漏极电流(Id):40.6A 功率(Pd):5W PMPAK5X6

物料参数

安装类型:SMT
品牌:APEC
功率耗散:83.3W
原始制造商:Advanced Power Electronics Corp.
包装:Tape/reel
极性:N-沟道
连续漏极电流:40.6A
存储温度:-55℃~+150℃
长x宽/尺寸:4.90 x 5.75mm
封装/外壳:PMPAK5X6
元件生命周期:Active
反向传输电容Crss:420pF
工作温度:-55℃~+150℃
配置:单路
不同 Id,Vgs时的 RdsOn(最大值):1.89mΩ
最小包装:3000pcs
漏源电压(Vdss):30V
高度:1.10mm
零件状态:Active
引脚数:8Pin