PTA20N65
品牌
PIP
供应商
分类
场效应管(MOSFET)
描述
类型：N沟道 漏源电压(Vdss)：650V 连续漏极电流(Id)：20A 功率(Pd)：65W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：500mΩ@10V,10A 阈值电压(Vgs(th)@Id)：4V@250μA N沟道,650V,0.36?@10V,20A