ME12N04
品牌
MATSUKI
供应商
分类
场效应管(MOSFET)
描述
类型：N沟道 漏源电压(Vdss)：40V 连续漏极电流(Id)：22A 功率(Pd)：25W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：22mΩ@10V,12A 阈值电压(Vgs(th)@Id)：3V@250uA 栅极电荷(Qg@Vgs)：7nC@4.5V 输入电容(Ciss@Vds)：539pF@20V 反向传输电容(Crss@Vds)：23pF@20V 工作温度：-55℃~+150℃@(Tj)