HYG025N04NA1D
品牌
HUAYI
供应商
分类
场效应管(MOSFET)
描述
类型：N沟道 漏源电压(Vdss)：40V 连续漏极电流(Id)：125A 功率(Pd)：93W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：2.5mΩ@10V,40A 阈值电压(Vgs(th)@Id)：2.7V@2.5mA 栅极电荷(Qg@Vgs)：122.6nC@10V 输入电容(Ciss@Vds)：5.625nF@25V 反向传输电容(Crss@Vds)：569pF@25V 工作温度：-55℃~+175℃@(Tj)