PJSEMI

场效应管(MOSFET)

P沟道 耐压:40V 电流:3.1A 类型:P沟道 漏源电压(Vdss):40V 连续漏极电流(Id):3.1A 功率(Pd):1.25W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):80mΩ@10V,3.1A 阈值电压(Vgs(th)@Id):3V@250uA