HSU4115
品牌
HUASHUO
供应商
分类
晶体管 > MOSFETs
描述
P沟道 漏源电压(Vdss)：40V 连续漏极电流(Id)：52A 功率(Pd)：52.1W
物料参数
| 安装类型: | SMT |
| 品牌: | HUASHUO |
| 原始制造商: | HUASHUO SEMICONDUCTOR |
| 阈值电压Vgs(th): | 1.6V |
| 包装: | Tape/reel |
| 连续漏极电流Id@25℃: | 52A |
| 极性: | P-沟道 |
| 存储温度: | -55℃~+150℃ |
| 封装/外壳: | TO252 |
| 元件生命周期: | Active |
| 输入电容Ciss: | 3.5nF |
| 反向传输电容Crss: | 222pF |
| 栅极源极击穿电压: | ±20V |
| 工作温度: | -55℃~+150℃ |
| 配置: | 单路 |
| 原产国家: | China |
| 栅极电荷(Qg)(Max): | 27.9nC |
| 漏源电压(Vdss): | 40V |
| 零件状态: | Active |
| 晶体管类型: | P沟道 |