PNMT8N1
品牌
PRISEMI
供应商
分类
场效应管(MOSFET)
描述
类型：N沟道 漏源电压(Vdss)：20V 连续漏极电流(Id)：300mA 功率(Pd)：150mW 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：500mΩ@4V,300mA 阈值电压(Vgs(th)@Id)：1.1V@1mA N沟,20V,300mA,0.3Ω@4V 另含一个三极管