AGERTECH

场效应管(MOSFET)

类型：P沟道 漏源电压(Vdss)：30V 连续漏极电流(Id)：3.7A 功率(Pd)：1W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：40mΩ@10V,3.7A 阈值电压(Vgs(th)@Id)：1.5V@250uA 栅极电荷(Qg@Vgs)：15nC@10V 输入电容(Ciss@Vds)：800pF@15V 反向传输电容(Crss@Vds)：70pF@15V 工作温度：-55℃~+150℃@(Tj)