场效应管(MOSFET)

类型：N沟道 漏源电压(Vdss)：650V 连续漏极电流(Id)：4A 功率(Pd)：50W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：2Ω@10V,2A 阈值电压(Vgs(th)@Id)：4V@250uA 栅极电荷(Qg@Vgs)：13.3nC@10V 输入电容(Ciss@Vds)：590pF@25V 反向传输电容(Crss@Vds)：5pF@25V 工作温度：+150℃@(Tj) 高压MOS管