DOESHARE

场效应管(MOSFET)

类型：N沟道 漏源电压(Vdss)：30V 连续漏极电流(Id)：300mA 功率(Pd)：350mW 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：2.5Ω@10V,300mA 阈值电压(Vgs(th)@Id)：1.1V@250uA 栅极电荷(Qg@Vgs)：1.7nC@10V 输入电容(Ciss@Vds)：18pF@30V 反向传输电容(Crss@Vds)：7pF@30V 工作温度：-55℃~+150℃@(Tj) NMOS 30V 300mA RDS(on)=8Ω WITH ESD SOT-323