SILAN

场效应管(MOSFET)

类型：N沟道 漏源电压(Vdss)：55V 连续漏极电流(Id)：17A 功率(Pd)：45W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：45mΩ@10V,10A 阈值电压(Vgs(th)@Id)：4V@250uA 栅极电荷(Qg@Vgs)：10.5nC@10V 输入电容(Ciss@Vds)：400pF@25V 反向传输电容(Crss@Vds)：12.5pF@25V 工作温度：-55℃~+175℃@(Tj)