HY1106S
品牌
HUAYI
供应商
分类
场效应管(MOSFET)
描述
类型：N沟道 漏源电压(Vdss)：60V 连续漏极电流(Id)：11A 功率(Pd)：3.5W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：15mΩ@10V,11A 阈值电压(Vgs(th)@Id)：3V@250μA N沟道,60V,11A,13mΩ@10V