GOFORD

场效应管(MOSFET)

类型：P沟道 漏源电压(Vdss)：40V 连续漏极电流(Id)：45A 功率(Pd)：80W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：10.5mΩ@10V,20A 阈值电压(Vgs(th)@Id)：1.5V@250uA 栅极电荷(Qg@Vgs)：42nC@10V 输入电容(Ciss@Vds)：2.96nF@20V 反向传输电容(Crss@Vds)：310pF@20V 工作温度：-55℃~+150℃@(Tj)