SPS

场效应管(MOSFET)

类型：P沟道 漏源电压(Vdss)：30V 连续漏极电流(Id)：6A 功率(Pd)：3.1W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：59.5mΩ@10V,6A 阈值电压(Vgs(th)@Id)：1.8V@250uA 栅极电荷(Qg@Vgs)：2.3nC@4.5V 输入电容(Ciss@Vds)：520pF@15V 反向传输电容(Crss@Vds)：65pF@15V 工作温度：-55℃~+150℃@(Tj)