HSBG2024
品牌
HUASHUO
供应商
分类
场效应管(MOSFET)
描述
类型：N沟道 漏源电压(Vdss)：20V 连续漏极电流(Id)：1.4A 功率(Pd)：700mW 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：230mΩ@4.5V,550mA 阈值电压(Vgs(th)@Id)：1V@250μA