MAPLESEMI

场效应管(MOSFET)

类型：N沟道 漏源电压(Vdss)：650V 连续漏极电流(Id)：5A 功率(Pd)：27W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：780mΩ@10V,2.5A 阈值电压(Vgs(th)@Id)：4V@250uA 栅极电荷(Qg@Vgs)：17.18nC@10V 输入电容(Ciss@Vds)：350pF@25V 反向传输电容(Crss@Vds)：3.5pF@25V 工作温度：-55℃~+150℃@(Tj)