SPS

场效应管(MOSFET)

类型：N沟道 漏源电压(Vdss)：650V 连续漏极电流(Id)：7A 功率(Pd)：28W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：600mΩ@10V,3.5A 阈值电压(Vgs(th)@Id)：4V@250uA 栅极电荷(Qg@Vgs)：25nC@10V 输入电容(Ciss@Vds)：380pF@25V 反向传输电容(Crss@Vds)：7pF@25V 工作温度：+150℃@(Tj)