ANBON

场效应管(MOSFET)

类型：N沟道 漏源电压(Vdss)：60V 连续漏极电流(Id)：3A 功率(Pd)：1.2W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：100mΩ@10V,3A 阈值电压(Vgs(th)@Id)：2V@250uA 栅极电荷(Qg@Vgs)：5.1nC@10V 输入电容(Ciss@Vds)：330pF@30V 反向传输电容(Crss@Vds)：17pF@30V 工作温度：+150℃@(Tj)