LBSS84WT1G

品牌
供应商
分类
晶体管 > MOSFETs
描述
Small Signal MOSFETs

物料参数

安装类型:SMT
阈值电压:2V@250μA
原始制造商:Leshan Radio Co., Ltd.
额定功率:225mW
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):5Ω@10V,100mA
包装:Tape/reel
极性:P-沟道
连续漏极电流:130mA
封装/外壳:SOT-323
元件生命周期:Active
栅极源极击穿电压:±20V
工作温度:-55℃~+150℃
配置:单路
原产国家:China
最小包装:3000pcs
漏源电压(Vdss):50V
高度:0.90mm
零件状态:Active
引脚数:3Pin
类型:1个P沟道
价格梯度 价格
1+¥0.0843
包装:1 库存:0