NCE6080A

品牌
NCE
供应商
分类
晶体管>>MOSFETs
描述
类型:N沟道 漏源电压(Vdss):60V 连续漏极电流(Id):80A 功率(Pd):110W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):8mΩ@10V,20A

物料参数

产品分类:MOSFETs晶体管
阈值电压Vgs(th):1.8V@250µA
漏极电流Idss:1uA
FET类型:N沟道
元件生命周期:Active
存储温度:-55~+175℃
引线数量:3Pin
原产国家:China
品牌:NCE
漏源极电压(Vdss):60V
零件状态:在售
漏源电压(Vdss):60V
连续漏极电流Id@25℃:80A
导通电阻Rds On(Max):8mΩ
栅极电荷(Qg)(Max):90.3nC
输入电容(Ciss)(Max):4000pF
功率(Max):110W
工作温度(Tj):-55°C~175°C
安装类型:通孔(THT)
封装/外壳:TO-220-3L
价格梯度 价格
1+¥5.8837
包装:1 库存:1