NCEP40P80K

品牌
NCE
供应商
分类
晶体管>>MOSFETs
描述
VDS=-40V ID=-80A PD=150W VGS=±20V

物料参数

产品分类:MOSFETs晶体管
阈值电压Vgs(th):1.8V@250µA
漏极电流Idss:1uA
FET类型:P沟道
元件生命周期:Active
存储温度:-55~+175℃
引线数量:3Pin
原产国家:China
品牌:NCE
漏源极电压(Vdss):40V
零件状态:在售
漏源电压(Vdss):40V
连续漏极电流Id@25℃:80A
导通电阻Rds On(Max):6.2mΩ
栅极电荷(Qg)(Max):57.2nC
输入电容(Ciss)(Max):3738pF
功率(Max):150W
工作温度(Tj):-55°C~175°C
安装类型:表面贴装(SMT)
封装/外壳:TO-252-2L