NCE65T900F

品牌
NCE
供应商
分类
晶体管 > MOSFETs
描述
MOS管 N-channel Id=5A VDS=650V TO-220F

物料参数

安装类型:DIP
原始制造商:WUXI NCE POWER CO., Ltd.
阈值电压Vgs(th):4V@250µA
连续漏极电流Id@25℃:5A
包装:Tube packing
漏源击穿电压BVDSS:650V
存储温度:-55~+150℃
封装/外壳:TO220F
元件生命周期:Active
栅极源极击穿电压:±30V
漏极电流Idss:1uA
配置:Single
原产国家:China
栅极电荷(Qg)(Max):15nC
最小包装:50pcs
功率(Max):29W
漏源电压(Vdss):650V
导通电阻Rds On(Max):750mΩ
工作温度(Tj):-55~+150℃
高度:15.97mm