NCE60P50
品牌
NCE
供应商
分类
晶体管 > MOSFETs
描述
类型：P沟道 漏源电压(Vdss)：60V 连续漏极电流(Id)：50A 功率(Pd)：95W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：28mΩ@10V,20A
物料参数
| 安装类型: | DIP |
| 品牌: | NCE |
| 阈值电压Vgs(th): | 3.5V@250µA |
| 连续漏极电流Id@25℃: | 50A |
| 包装: | Tube packing |
| 长x宽/尺寸: | 10.25 x 4.60mm |
| 封装/外壳: | TO220 |
| 栅极源极击穿电压: | ±20V |
| 反向传输电容Crss: | 535pF |
| 工作温度: | -55℃~+150℃ |
| 漏极电流Idss: | 1uA |
| 充电电量: | 75nC |
| 配置: | 单路 |
| 原产国家: | China |
| 栅极电荷(Qg)(Max): | 75nC |
| 漏源电压(Vdss): | 60V |
| 零件状态: | 在售 |
| 高度: | 15.90mm |
| 晶体管类型: | P沟道 |
| 引脚数: | 3Pin |
| 价格梯度 | 价格 |
|---|---|
| 1+ | ¥3.3438 |
| 包装：1 | 库存：0 |