AOTF10N60
品牌
供应商
分类
晶体管 > MOSFETs
描述
600V,10A,N沟道MOSFET
物料参数
安装类型: | DIP |
是否无铅: | Yes |
品牌: | AOS |
功率耗散: | 50W |
阈值电压: | 4.5V@250µA |
包装: | Tube packing |
极性: | N-沟道 |
连续漏极电流: | 10A |
封装/外壳: | SOT78 |
制造商标准提前期: | 16 周 |
工作温度: | -55℃~+150℃ |
配置: | 单路 |
系列: | - |
输入电容: | 1.6nF@25V |
FET功能: | - |
湿气敏感性等级(MSL): | 1(无限) |
漏源电压(Vdss): | 600V |
栅极电荷(Qg): | 40nC@10V |
零件状态: | Active |
晶体管类型: | N沟道 |