AOTF10N60

品牌
供应商
分类
晶体管 > MOSFETs
描述
600V,10A,N沟道MOSFET

物料参数

安装类型:DIP
是否无铅:Yes
品牌:AOS
功率耗散:50W
阈值电压:4.5V@250µA
包装:Tube packing
极性:N-沟道
连续漏极电流:10A
封装/外壳:SOT78
制造商标准提前期:16 周
工作温度:-55℃~+150℃
配置:单路
系列:-
输入电容:1.6nF@25V
FET功能:-
湿气敏感性等级(MSL):1(无限)
漏源电压(Vdss):600V
栅极电荷(Qg):40nC@10V
零件状态:Active
晶体管类型:N沟道