AP20P30Q

品牌
ALLPOWER
供应商
分类
晶体管 > MOSFETs
描述
P沟道 漏源电压(Vdss):30V 连续漏极电流(Id):20A 功率(Pd):40W

物料参数

安装类型:SMT
品牌:ALLPOWER
功率耗散:21.5W
阈值电压:-1.5V
原始制造商:Shenzhen Quanli Semiconductor Co., Ltd.
包装:Tape/reel
极性:P-沟道
连续漏极电流:20A
存储温度:-55℃~+150℃
长x宽/尺寸:3.15 x 3.05mm
封装/外壳:DFN8_3X3MM
元件生命周期:Active
栅极源极击穿电压:±20V
工作温度:-55℃~+150℃
配置:单路
原产国家:China
输入电容:2.8nF
漏源电压(Vdss):30V
栅极电荷(Qg):30nC
零件状态:Active
价格梯度 价格
1+¥0.6536
30+¥0.6299
100+¥0.5826
500+¥0.5352
1000+¥0.5115
包装:1 库存:77