AO3407

品牌
TWGMC
供应商
分类
晶体管 > MOSFETs
描述
类型:P沟道 漏源电压(Vdss):30V 连续漏极电流(Id):4.1A 功率(Pd):350mW 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):60mΩ@10V,4.1A

物料参数

安装类型:SMT
是否无铅:Yes
击穿电压:30V
功率耗散:350mW
阈值电压:2V
包装:Tape/reel
连续漏极电流:4.1A
存储温度:-55℃~+150℃
长x宽/尺寸:3.10 x 1.65mm
封装/外壳:SOT-23
反向传输电容Crss:75pF
工作温度:+150℃
不同 Id,Vgs时的 RdsOn(最大值):87mΩ
原产国家:China Taiwan
输入电容:700pF
漏源电压(Vdss):30V
认证信息:RoHS
零件状态:Active
高度:1.40mm
晶体管类型:P沟道
价格梯度 价格
1+¥0.1650
100+¥0.1540
300+¥0.1430
500+¥0.1320
2000+¥0.1265
5000+¥0.1232
包装:1 库存:2475
价格梯度 价格
10+¥0.2486
100+¥0.2037
300+¥0.1813
3000+¥0.1509
6000+¥0.1374
9000+¥0.1307
包装:10 库存:9580