AO3407
品牌
TWGMC
供应商
分类
晶体管 > MOSFETs
描述
类型:P沟道 漏源电压(Vdss):30V 连续漏极电流(Id):4.1A 功率(Pd):350mW 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):60mΩ@10V,4.1A
物料参数
安装类型: | SMT |
是否无铅: | Yes |
击穿电压: | 30V |
功率耗散: | 350mW |
阈值电压: | 2V |
包装: | Tape/reel |
连续漏极电流: | 4.1A |
存储温度: | -55℃~+150℃ |
长x宽/尺寸: | 3.10 x 1.65mm |
封装/外壳: | SOT-23 |
反向传输电容Crss: | 75pF |
工作温度: | +150℃ |
不同 Id,Vgs时的 RdsOn(最大值): | 87mΩ |
原产国家: | China Taiwan |
输入电容: | 700pF |
漏源电压(Vdss): | 30V |
认证信息: | RoHS |
零件状态: | Active |
高度: | 1.40mm |
晶体管类型: | P沟道 |
价格梯度 | 价格 |
---|---|
1+ | ¥0.1650 |
100+ | ¥0.1540 |
300+ | ¥0.1430 |
500+ | ¥0.1320 |
2000+ | ¥0.1265 |
5000+ | ¥0.1232 |
包装:1 | 库存:2475 |
价格梯度 | 价格 |
---|---|
10+ | ¥0.2486 |
100+ | ¥0.2037 |
300+ | ¥0.1813 |
3000+ | ¥0.1509 |
6000+ | ¥0.1374 |
9000+ | ¥0.1307 |
包装:10 | 库存:9580 |