WSD20L70DN

品牌
WINSOK
供应商
分类
晶体管 > MOSFETs
描述
P沟道 -20V -70A 6.7mΩ DFN3X3-8L,可应用于电子烟、无线充、车充、控制器、数码产品、小家电、消费类电子

物料参数

安装类型:SMT
击穿电压:20V
阈值电压:600mV@250µA
原始制造商:Winsok power Semiconductor CO., LTD
包装:Tape/reel
极性:P-沟道
连续漏极电流:70A
封装/外壳:DFN8_3X3MM
元件生命周期:Active
漏极电流:-70A
栅极源极击穿电压:±8V
工作温度:-55℃~+150℃
配置:单路
不同 Id,Vgs时的 RdsOn(最大值):7.9mΩ
原产国家:China
最小包装:3000pcs
漏源电压(Vdss):20V
栅极电荷(Qg):70nC@4.5V
晶体管类型:P沟道
引脚数:8Pin
价格梯度 价格
1+¥1.2960
10+¥1.1760
30+¥1.0960
100+¥0.9760
500+¥0.9200
1000+¥0.8800
包装:1 库存:1937