AP4407C

品牌
ALLPOWER
供应商
分类
晶体管 > MOSFETs
描述
P沟道 漏源电压(Vdss):30V 连续漏极电流(Id):12A 功率(Pd):3.7W

物料参数

安装类型:SMT
品牌:ALLPOWER
功率耗散:3.7W
阈值电压:-1.5V
原始制造商:Shenzhen Quanli Semiconductor Co., Ltd.
包装:Tape/reel
极性:P-沟道
连续漏极电流:12A
长x宽/尺寸:5.10 x 4.00mm
存储温度:-55℃~+150℃
封装/外壳:SO8
栅极源极击穿电压:±20V
工作温度:+150℃
配置:单路
原产国家:China
不同 Id,Vgs时的 RdsOn(最大值):10.5mΩ
输入电容:2.863nF
漏源电压(Vdss):30V
栅极电荷(Qg):54.8nC
高度:1.75mm