WSD20L50DN

品牌
WINSOK
供应商
分类
晶体管 > MOSFETs
描述
Configuration Single Type P-Ch VDS(V) -20 VGS(V) 12 ID(A)Max. -50 VGS(th)(v) - RDS(ON)(m?)@4.172V 9 Qg(nC)@4.5V 25 QgS(nC) 1.6 Qgd(nC) 11 Ciss(pF) 1620 Coss(pF) 320 Crss(pF) 290

物料参数

安装类型:SMT
功率耗散:31.25W
阈值电压:1V@250µA
原始制造商:Winsok power Semiconductor CO., LTD
包装:Tape/reel
极性:P-沟道
连续漏极电流:50A
长x宽/尺寸:3.00 x 3.00mm
存储温度:-55℃~+150℃
封装/外壳:DFN8_3X3MM
漏极电流:-50A
反向传输电容Crss:290pF
栅极源极击穿电压:±12V
工作温度:-55℃~+150℃
充电电量:25nC
配置:单路
原产国家:China
漏源电压(Vdss):20V
高度:1.00mm
晶体管类型:P沟道