BLM8205A

品牌
BELLING
供应商
分类
晶体管 > MOSFETs
描述
N沟道 VDS=19.5V VGS=±10V ID=6A P=1.5W

物料参数

安装类型:SMT
击穿电压:19.5V
阈值电压:700mV
额定功率:1.5W
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):27mΩ@4.5V,4.5A
包装:Tape/reel
极性:N-沟道
连续漏极电流:6A
长x宽/尺寸:4.50 x 3.10mm
封装/外壳:TSSOP-8
漏极电流:6A
栅极源极击穿电压:±10V
工作温度:-55℃~+150℃
配置:单路
不同 Id,Vgs时的 RdsOn(最大值):21mΩ
漏源电压(Vdss):19.5V
高度:1.10mm
晶体管类型:2个N沟道(双)
引脚数:8Pin
类型:2个N沟道
价格梯度 价格
5+¥0.3741
20+¥0.3411
100+¥0.3081
500+¥0.2751
1000+¥0.2597
2000+¥0.2487
包装:5 库存:0