WSD2018DN22
品牌
WINSOK
供应商
分类
晶体管 > MOSFETs
描述
N沟道.20V.12A.10mΩ
物料参数
| 安装类型: | SMT |
| 击穿电压: | 20V |
| 功率耗散: | 1.5W |
| 阈值电压: | 700mV@250µA |
| 原始制造商: | Winsok power Semiconductor CO., LTD |
| 包装: | Tape/reel |
| 连续漏极电流: | 12A |
| 长x宽/尺寸: | 2.00 x 2.00mm |
| 封装/外壳: | DFN6_2X2MM_EP |
| 漏极电流: | 12A |
| 栅极源极击穿电压: | ±10V |
| 反向传输电容Crss: | 450pF |
| 工作温度: | -55℃~+150℃ |
| 充电电量: | 32nC |
| 配置: | 单路 |
| 不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值）: | 15mΩ |
| 原产国家: | China |
| 漏源电压(Vdss): | 20V |
| 高度: | 0.80mm |
| 晶体管类型: | N沟道 |
| 价格梯度 | 价格 |
|---|---|
| 5+ | ¥1.2011 |
| 50+ | ¥0.9701 |
| 150+ | ¥0.8711 |
| 500+ | ¥0.7205 |
| 2500+ | ¥0.6655 |
| 5000+ | ¥0.6325 |
| 包装：5 | 库存：0 |