2SB772PU

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分类
晶体管 > 通用三极管
描述
三极管

物料参数

安装类型:SMT
品牌:CBI
功率耗散:1W
额定功率:1W
集射极击穿电压Vce(Max):30V
Vce饱和压降:500mV
跃迁频率:80MHz
存储温度:-65℃~+150℃
长x宽/尺寸:4.62 x 2.62mm
封装/外壳:SOT89-3
工作温度:-65℃~+150℃
集电极电流 Ic:3A
集电极-发射极电压 VCEO:30V
原产国家:China
特征频率(fT):80MHz
零件状态:Active
高度:1.50mm
DC电流增益(hFE):30
晶体管类型:PNP
引脚数:3Pin