WSD3030DN

品牌
WINSOK
供应商
分类
晶体管 > MOSFETs
描述
MOS管 N-Channel VDS=30V VGS=±20V ID=34A RDS(ON)=18mΩ@10V

物料参数

安装类型:SMT
击穿电压:30V
阈值电压:1.9V@250µA
额定功率:25W
原始制造商:Winsok power Semiconductor CO., LTD
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):12mΩ@10V,20A
包装:Tape/reel
极性:N-沟道
连续漏极电流:34A
封装/外壳:DFN8_3X3MM
漏极电流:34A
工作温度:-55℃~+150℃
配置:单路
原产国家:China
最小包装:5000pcs
漏源电压(Vdss):30V
高度:1.00mm
晶体管类型:N沟道
引脚数:8Pin
类型:1个N沟道
价格梯度 价格
5+¥1.2623
50+¥1.1153
150+¥1.0523
500+¥0.9737
2500+¥0.8285
5000+¥0.8075
包装:5 库存:5680