AP5N10S

品牌
ALLPOWER
供应商
分类
晶体管 > MOSFETs
描述
N沟道功率MOSFET

物料参数

安装类型:SMT
击穿电压:110V
阈值电压:1.8V
原始制造商:Shenzhen Quan Li Semiconductor Co., Ltd.
包装:Tape/reel
极性:N-沟道
连续漏极电流:5A
封装/外壳:SOT23-3
元件生命周期:Active
漏极电流:5A
栅极源极击穿电压:±20V
工作温度:-55℃~+150℃
配置:单路
输入电容:210pF
最小包装:3000pcs
漏源电压(Vdss):100V
栅极电荷(Qg):4.5nC
晶体管类型:N沟道
引脚数:3Pin
类型:1个N沟道
价格梯度 价格
1+¥0.2261
10+¥0.2176
100+¥0.1972
500+¥0.1870
包装:1 库存:396