MMDT3906DW
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晶体管 > 通用三极管
描述
晶体管类型：2个PNP 集电极电流(Ic)：200mA 集射极击穿电压(Vceo)：40V 功率(Pd)：200mW 集电极截止电流(Icbo)：50nA 集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib)：300mV@50mA,5mA 直流电流增益(hFE@Ic,Vce)：100@10mA,1V 特征频率(fT)：250MHz 工作温度(最小值)：- 工作温度(最大值)：+150℃@(Tj)
物料参数
| 安装类型: | SMT |
| 品牌: | CBI |
| 功率耗散: | 200mW |
| 额定功率: | 200mW |
| Vce饱和压降: | 400mV |
| 集射极击穿电压Vce(Max): | 40V |
| 跃迁频率: | 250MHz |
| 存储温度: | -55℃~+150℃ |
| 封装/外壳: | SOT-23 |
| 工作温度: | +150℃ |
| 集电极-发射极电压 VCEO: | 40V |
| 集电极电流 Ic: | 200mA |
| 原产国家: | China |
| 特征频率(fT): | 250MHz |
| 零件状态: | Active |
| DC电流增益(hFE): | 100 |
| 晶体管类型: | 2个PNP |
| 价格梯度 | 价格 |
|---|---|
| 10+ | ¥0.0934 |
| 50+ | ¥0.0864 |
| 200+ | ¥0.0806 |
| 600+ | ¥0.0748 |
| 1500+ | ¥0.0701 |
| 3000+ | ¥0.0672 |
| 包装：10 | 库存：0 |