AP2012S
品牌
ALLPOWER
供应商
分类
晶体管 > MOSFETs
描述
N沟道 漏源电压(Vdss)：18V 连续漏极电流(Id)：12A 功率(Pd)：2W
物料参数
| 安装类型: | SMT |
| 品牌: | ALLPOWER |
| 击穿电压: | 20V |
| 阈值电压: | 1V |
| 额定功率: | 2W |
| 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id): | 9mΩ@4.5V,6A |
| 包装: | Tape/reel |
| 极性: | N-沟道 |
| 连续漏极电流: | 12A |
| 长x宽/尺寸: | 5.10 x 4.00mm |
| 存储温度: | -55℃~+150℃ |
| 封装/外壳: | SO8 |
| 工作温度: | -55℃~+150℃ |
| 配置: | 单路 |
| 原产国家: | China |
| 最小包装: | 4000pcs |
| 漏源电压(Vdss): | 18V |
| 栅极电荷(Qg): | 17.9nC |
| 高度: | 1.75mm |
| 类型: | 1个N沟道 |
| 价格梯度 | 价格 |
|---|---|
| 1+ | ¥0.3067 |
| 100+ | ¥0.2883 |
| 300+ | ¥0.2700 |
| 500+ | ¥0.2516 |
| 2000+ | ¥0.2424 |
| 5000+ | ¥0.2369 |
| 包装：1 | 库存：3970 |