BLM2302
品牌
BELLING
供应商
分类
晶体管 > MOSFETs
描述
N沟道增强型功率MOSFET SOT23 VGS=±10V VDS=20V，ID=2.9A
物料参数
| 安装类型: | SMT |
| 功率耗散: | 1W |
| 击穿电压: | 20V |
| 阈值电压: | 750mV |
| 原始制造商: | Shanghai Belling Co., Ltd. |
| 包装: | Tape/reel |
| 极性: | N-沟道 |
| 连续漏极电流: | 2.9A |
| 存储温度: | -55℃~+150℃ |
| 长x宽/尺寸: | 3.00 x 1.40mm |
| 封装/外壳: | SOT-23 |
| 元件生命周期: | Active |
| 栅极源极击穿电压: | ±10V |
| 工作温度: | -55℃~+150℃(TJ) |
| 原产国家: | China |
| 最小包装: | 3000pcs |
| 漏源电压(Vdss): | 20V |
| 栅极电荷(Qg): | 10nC |
| 高度: | 1.15mm |
| 晶体管类型: | N沟道 |