WSD2050DN

品牌
WINSOK
供应商
分类
晶体管 > MOSFETs
描述
MOS管 N-Channel VDS=20V VGS=±12V ID=40A RDS(ON)=14mΩ@10V

物料参数

安装类型:SMT
击穿电压:20V
阈值电压:600mV@250µA
原始制造商:Winsok power Semiconductor CO., LTD
包装:Tape/reel
极性:N-沟道
连续漏极电流:40A
长x宽/尺寸:3.00 x 3.00mm
封装/外壳:DFN8_3X3MM
漏极电流:40A
栅极源极击穿电压:±12V
反向传输电容Crss:113pF
工作温度:-55℃~+150℃
充电电量:10nC
配置:单路
不同 Id,Vgs时的 RdsOn(最大值):14mΩ
原产国家:China
最小包装:5000pcs
漏源电压(Vdss):20V
晶体管类型:N沟道