UF640L-TN3-R

品牌
UTC
供应商
分类
晶体管 > MOSFETs
描述
N沟道,200V,18A

物料参数

安装类型:SMT
品牌:UTC
击穿电压:200
功率耗散:83W
原始制造商:Unisonic Technology Co., Ltd.
包装:Tape/reel
极性:N-沟道
连续漏极电流:18A
封装/外壳:TO-252-2(DPAK)
元件生命周期:Active
栅极源极击穿电压:±20
反向传输电容Crss:46
工作温度:+150℃
配置:单路
原产国家:China Taiwan
不同 Id,Vgs时的 RdsOn(最大值):140mΩ
输入电容:805pF
最小包装:2500pcs
漏源电压(Vdss):200V
晶体管类型:N沟道
价格梯度 价格
1+¥1.4790
30+¥1.4246
100+¥1.3159
500+¥1.2071
1000+¥1.1527
包装:1 库存:419
价格梯度 价格
1+¥2.3000
10+¥1.8400
30+¥1.6400
100+¥1.3900
500+¥1.2800
1000+¥1.2200
包装:1 库存:5106
价格梯度 价格
1+¥2.1668
包装:1 库存:55