MMDT3946DW
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晶体管 > 通用三极管
描述
晶体管类型：1个NPN,1个PNP 集电极电流(Ic)：200mA 集射极击穿电压(Vceo)：40V 功率(Pd)：200mW 集电极截止电流(Icbo)：200mA 集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib)：300mV@50mA,5mA；400mV@50mA,5mA 直流电流增益(hFE@Ic,Vce)：100@10mA,1V 特征频率(fT)：300MHz；250MHz 工作温度(最小值)：- 工作温度(最大值)：+150℃@(Tj)
物料参数
| 安装类型: | SMT |
| 品牌: | CBI |
| 功率耗散: | 200mW |
| 额定功率: | 200mW |
| 集射极击穿电压Vce(Max): | 40V |
| Vce饱和压降: | 300mV |
| 跃迁频率: | 300MHz |
| 存储温度: | -55℃~+150℃ |
| 长x宽/尺寸: | 2.00 x 1.25mm |
| 封装/外壳: | SOT-363 |
| 工作温度: | +150℃ |
| 集电极-发射极电压 VCEO: | 40V |
| 集电极电流 Ic: | 200mA |
| 原产国家: | China |
| 特征频率(fT): | 300MHz,250MHz |
| 高度: | 0.90mm |
| 零件状态: | Active |
| DC电流增益(hFE): | 100 |
| 晶体管类型: | NPN,PNP |
| 引脚数: | 6Pin |
| 价格梯度 | 价格 |
|---|---|
| 20+ | ¥0.1413 |
| 200+ | ¥0.1143 |
| 600+ | ¥0.0993 |
| 3000+ | ¥0.0792 |
| 9000+ | ¥0.0714 |
| 21000+ | ¥0.0672 |
| 包装：20 | 库存：6840 |