ST2300S23RG

品牌
VBSEMI
供应商
分类
晶体管 > MOSFETs
描述
MOS管 N-Channel VDS=20V VGS=±12V ID=5A RDS(ON)=28mΩ@4.5V SOT23

物料参数

安装类型:SMT
品牌:VBsemi
功率耗散:1.25W
击穿电压:20V
原始制造商:VBsemi Electronics Co. Ltd
包装:Tape/reel
极性:N-沟道
连续漏极电流:5A
存储温度:-55℃~+150℃
长x宽/尺寸:3.04 x 1.40mm
封装/外壳:SOT-23
栅极源极击穿电压:±12V
工作温度:-55℃~+150℃(TJ)
充电电量:8.8nC
配置:单路
原产国家:China Taiwan
漏源电压(Vdss):20V
高度:1.12mm
晶体管类型:N沟道
引脚数:3Pin