FDC6312P

品牌
VBSEMI
供应商
分类
晶体管 > MOSFETs
描述
MOS管 Dual P-ChannelVDS=20V VGS=±12V ID=3.6A RDS(ON)=75mΩ@4.5V TSOP6

物料参数

安装类型:SMT
是否无铅:Yes
品牌:VBsemi
功率耗散:1.14W
原始制造商:VBsemi Electronics Co. Ltd
包装:Tape/reel
极性:P-沟道
连续漏极电流:3.6A
存储温度:-55℃~+150℃
长x宽/尺寸:3.05 x 1.65mm
封装/外壳:TSOP6
反向传输电容Crss:33pF
工作温度:-55℃~+150℃(TJ)
充电电量:5.2nC
配置:双路
原产国家:China Taiwan
输入电容:210pF
最小包装:3000pcs
漏源电压(Vdss):20V
晶体管类型:MOSFET