NCE80H12D

品牌
NCE
供应商
分类
晶体管 > MOSFETs
描述
MOSFETs N-Channel Vdss:80V Id:120A Pd:220W

物料参数

安装类型:SMT
品牌:NCE
阈值电压:4V
包装:Tape/reel
极性:N-沟道
连续漏极电流:120A
封装/外壳:TO-263(D²Pak)
漏极电流:1uA
栅极源极击穿电压:20V
工作温度:-55℃~+175℃
充电电量:163nC
配置:单路
不同 Id,Vgs时的 RdsOn(最大值):6mΩ
原产国家:China
输入电容:6.5nF
最小包装:800pcs
漏源电压(Vdss):80V
栅极电荷(Qg):163nC
零件状态:Active
晶体管类型:N沟道
价格梯度 价格
1+¥1.3383
10+¥1.2354
30+¥1.2148
100+¥1.1530
包装:1 库存:170
价格梯度 价格
1+¥6.8861
包装:1 库存:1